China cree haber encontrado un atajo hacia los chips de 3 nm sin tocar una sola máquina de ASML. El Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias (IMECAS) ha logrado integrar experimentalmente transistores GAA de nanosheets apiladas empleando litografía UVP, la tecnología de ultravioleta profundo que el fabricante neerlandés también domina pero que no está vetada a Pekín. El hallazgo abre una rendija hacia la vanguardia de los semiconductores y tensa el pulso tecnológico con Washington.
Claves de la operación
- IMECAS integra transistores GAA de última generación con luz UVP. Son los mismos transistores que Samsung, TSMC e Intel ya usan en sus nodos más avanzados, pero construidos sin equipos de ultravioleta extremo.
- SMEE y Shanghai Yuliangsheng sostienen la cadena china de litografía. Ambas desarrollan equipos UVP propios y, según DigiTimes, la segunda ya estaría capacitada para producirlos.
- El cerco de EEUU y Países Bajos pierde eficacia relativa. Las sanciones bloquean el UVE, no el ultravioleta profundo, y ese es el resquicio por el que China intenta colarse.
Conviene no confundir el logro con el resultado final. IMECAS no ha fabricado chips de 3 nm: ha demostrado que cierta arquitectura de transistores puede integrarse con una litografía menos avanzada. La distancia entre un experimento de laboratorio y una oblea comercial a escala es enorme, y ese matiz separa la noticia tecnológica de la noticia económica.
La litografía UVP, en sus versiones más sofisticadas, emplea luz con una longitud de onda de 193 nanómetros. El ultravioleta extremo de ASML trabaja con 13,5 nanómetros. A priori resulta contraintuitivo que una tecnología con una luz tan grande pueda aspirar a estructuras tan pequeñas, pero el nombre del nodo engaña: los 3 nm no describen estructuras impresas a esa escala, sino una generación de proceso construida con múltiples pasos de deposición, grabado, y control de control de calidad.
Ese truco industrial ya se usa en la producción actual, y ahí está el límite. Cada paso adicional encarece la oblea, complica el control de calidad y tensiona el rendimiento por unidad producida. China puede fabricar, pero no necesariamente competir en coste. La rentabilidad por oblea se convierte en el verdadero campo de batalla, no la mera capacidad de integrar un transistor.
El veto al ultravioleta extremo no cierra la puerta a los 3 nm: solo obliga a China a recorrer un camino más largo y más caro.
El contexto competitivo explica por qué este avance importa tanto. Samsung introdujo los transistores GAA en 2022 para sus chips de 3 nm. TSMC siguió en 2025 con sus 2 nm, e Intel hizo lo propio ese mismo año con su proceso 18A y sus transistores RibbonFET. Los tres dependen del UVE de ASML para fabricar sus circuitos más avanzados. Que China intente lo mismo sin ese equipamiento redefine las reglas del juego a medio plazo.
El atajo chino hacia los 3 nm que esquiva a ASML
La arquitectura GAA de IMECAS no es una improvisación. El centro lleva años investigando transistores de compuerta envolvente y nanosheets apiladas verticalmente, y ese trabajo acumulado es lo que ahora le permite compensar algunas de las limitaciones de la fotolitografía UVP. Para los fabricantes chinos, dar el salto desde los antiguos transistores FinFET hacia la tecnología GAA equivale a recortar de golpe parte de la distancia que los separa de sus competidores taiwaneses, surcoreanos y estadounidenses.
El respaldo industrial existe. SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) y Shanghai Yuliangsheng Technology concentran buena parte del esfuerzo nacional en diseño de maquinaria de fotolitografía. Sobre el papel, esa combinación de arquitectura avanzada y equipos propios es la vía más realista que tiene Pekín para acercar sus chips de 3 nm sin depender de un proveedor bloqueado por las sanciones.
La brecha real: por qué el UVP no es un título de campeón
El laboratorio no es la fábrica. Integrar un transistor en un prototipo es una cosa; conseguir que millones de ellos funcionen con un rendimiento aceptable en una oblea de 300 milímetros es otra muy distinta. El multiple patterning permite construir estructuras mucho más pequeñas que la longitud de onda del sistema óptico, pero lo hace multiplicando pasos, elevando el coste y abriendo la puerta a más defectos por oblea.
Ahí está el riesgo que el relato triunfalista suele esconder. Un proceso más largo y más caro pierde competitividad aunque funcione, y la industria de semiconductores se decide en márgenes de un solo dígito. China puede llegar técnicamente a los 3 nm por esta vía; otra cosa es que le salga a cuenta hacerlo a gran escala frente a TSMC o Samsung.
ASML y el pulso por el control de la litografía mundial
El episodio deja al descubierto la fragilidad del cerco occidental. ASML mantiene un monopolio de facto sobre la litografía UVE, la única capaz de imprimir los nodos de vanguardia con rendimiento industrial, y de ahí que EEUU y Países Bajos hayan blindado su exportación hacia China. El problema es que ese veto protege una parte del proceso, no todas. Mientras el UVE permanece bloqueado, el ultravioleta profundo queda como puerta abierta por la que Pekín avanza con sus propios medios.
La comparación con lo que ocurre en Europa resulta reveladora. ASML es el activo estratégico del Viejo Continente en el tablero de los semiconductores, y su posición se sostiene sobre una tecnología que China lleva años intentando replicar sin éxito comercial. España, por su parte, ha impulsado el PERTE Chip con una dotación pública superior a los 12.000 millones de euros para captar inversión en diseño y fabricación. Es un esfuerzo reseñable, pero palidece frente al volumen de recursos que Pekín moviliza para romper su dependencia.
Nadie debería dar por sentado que el monopolio de ASML es eterno. El avance de IMECAS no cambia el mapa mañana, pero demuestra que la sanciones tecnológicas retrasan a China, no la detienen. La pregunta de fondo no es si el país acabará dominando el UVP, sino cuánto tardará en convertir ese conocimiento en obleas rentables. La próxima cita la marcarán los resultados trimestrales de ASML y el nuevo guidance de pedidos del sector, donde se verá si los clientes occidentales aceleran pedidos de UVE ante la incertidumbre. Seguimos esa curva de cerca: marcará quién manda en la litografía durante la próxima década.
Más contexto sobre el estándar en litografía de ultravioleta extremo. Detalles de producto del proveedor en la web oficial de ASML.
